應用S7-200時，可以選用以下幾種數據保持方法：
CPU的內置超級電容，斷電時間不太長時，可以為數據和時鐘的保持提供電源緩沖
CPU上可以附加電池卡，與內置電容配合，長期為時鐘和數據保持提供電源
設置系統塊，在CPU斷電時自動保存M區中的14個字節數據
在數據塊中定義不需要更改的數據，下載到CPU內可以永久保存
用戶編程使用相應的特殊寄存器功能，將數據寫入EEPROM永久保存
上述前三個數據保持功能都是在“系統塊－數據保持”中設置
S7-200系統中用到了三種存儲器件：
RAM： 易失性的存儲器，失去電源供應后，其中保存的數據會丟失。S7-200 CPU中的RAM由超級電容＋外插電池卡提供電源緩沖。RAM保存V、M、T（定時器）、C（計數器）等各數據區的內容，在CPU失電后的表現由用戶在系統塊“數據保持”頁中設置
EEPROM：非易失的電可擦除存儲器，保存數據不需要供電，并且可以改寫其內容。上述RAM數據區中有的部分與EEPROM中的區域一一對應。用戶程序也永久保存在程序EEPROM區中
外插存儲卡：非易失的存儲器。用來保存用戶程序、數據記錄（歸檔）、配方數據，以及一些其他文件等
S7-200 CPU的以下數據空間屬于RAM存儲區：
變量存儲區（V）：可以按位、字節、字或雙字來存取V 區數據
位存儲區（M）：可以按位、字節、字或雙字來存取M區數據
定時器存儲區（T）：用于時間累計，分辨率分為1ms、10ms、100ms三種
計數器存儲區（C）：用于累計其輸入端脈沖電平由低到高的次數。CPU提供了三種類 型的計數器：一種只能增計數；一種只能減計數；另外一種既可 以增計數，又可以減計數。
RAM區的數據保持靠“內置超級電容＋外插電池卡”的機制。
在CPU內部靠一個超級電容，在掉電后為RAM存儲器提供電源緩沖，保存時間可達幾天之久，具體時間見表1、表2。CPU上電時，超級電容就可以充電。要獲得規格表中的數據保持時間，電容必須連續充電24小時。
S7-200還可選用外插電池卡（需單獨定貨），在超級電容耗盡后為RAM數據區提供電源緩沖。在連續無供電時，它可使用200天（即保持數據達200天）。CPU在不斷電的情況下專用電池卡能夠使用10年。
電池卡是不可充電的。
CPU內置的EEPROM存儲器用于永久保存數據，包括與RAM數據區一一對應的全部的V存儲區、部分M存儲區（MB0 - MB13）、定時器（TONR）。
例如V存儲區的VW100（RAM）在EEPROM中有其獨占的對應地址，數據在從EERPOM中寫到V存儲區中時，其目標地址就是VW100。
數據可以用如下方式寫入EEPROM數據區：
在編程軟件Micro/WIN的Data Block（數據塊）中定義V數據區存儲單元的初始值，下載數據塊時，這些數值也被寫入到相應的EEPROM單元中。
用特殊存儲器SMB31、SMW32，用編程方法將V存儲區的數據寫入EEPROM
在System Block（系統塊）中設置數據保持功能，可將MB0 - MB13的內容在CPU斷電時自動寫入到EEPROM中
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